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    深圳市瑞泰威科技有限公司

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  • 公司认证: 营业执照已认证
  • 企业性质:私营企业
    成立时间:
  • 公司地址: 广东省 深圳市 南山区 深圳市南山区桃源街道峰景社区龙珠大道040号梅州大厦1511
  • 姓名: 范清月
  • 认证: 手机未认证 身份证未认证 微信未绑定

    供应分类

    华为数字ic设计工资-瑞泰威科技(在线咨询)-数字ic设计

  • 所属行业:电子 电子有源器件 **集成电路
  • 发布日期:2020-06-01
  • 阅读量:114
  • 价格:面议
  • 产品规格:不限
  • 产品数量:不限
  • 包装说明:按订单
  • 发货地址:广东深圳南山区  
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    华为数字ic设计工资-瑞泰威科技(在线咨询)-数字ic设计详细内容






    数IC设计产品类型?

    对于当今所有的IC设计,DC Ultra 是可以利用的的综合平台。它扩展了DC Expert的功能,包括许多的综合优化算法,让关键路径的分析和优化在的时间内完成。在其中集成的Module Compiler数据通路综合技术, DC Ultra利用同样的VHDL/Verilog流程,能够创造处又快又小的电路。

    DFT Compiler

    DFT Compiler提供*创的“一遍测试综合”技术和方案。它和Design Compiler 、Physical Compiler系列产品集成在一起的,包含功能强大的扫描式可测性设计分析、综合和验证技术。DFT Compiler可以使设计者在设计流程的前期,很快而且方便的实现高质量的测试分析,确保时序要求和测试覆盖率要求同时得到满足。DFT Compiler同时支持RTL级、门级的扫描测试设计规则的检查,以及给予约束的扫描链插入和优化,同时进行失效覆盖的分析。

    Power Compiler

    Power Compiler?提供简便的功耗优化能力,能够自动将设计的功耗化,提供综合前的功耗预估能力,让设计者可以更好的规划功耗分布,在短时间内完成低功耗设计。Power Compiler嵌入Design Compiler/Physical Compiler之上,是业界可以同时优化时序、功耗和面积的综合工具。




    FPGA Compiler II

    FPGA Compiler II是一个**于快速开发高品质FPGA产品的逻辑综合工具,**数字ic设计,可以根据设计者的约束条件,针对特定的FPGA结构(物理结构)在性能与面积方面对设计进行优化,自动地完成电路的逻辑实现过程,从而大大降低了FPGA设计的复杂度。



    数字IC功能验证

    集成电路规模的飞速增长,使得集成电路功能复杂度日益提升,一方面为信息技术产业带来了生机和活力,另一方面也产生了许多问题和挑战。集成电路的功能正确性是这些问题和挑战中的首要考虑因素,必须引起我们足够的重视。传统的功能验证主要通过验证工程师手工编写测试激励来进行,华为数字ic设计工资,验证效率较为低下。

    随着技术的发展,OVM、UVM等先进的验证方法被成功引入,扩充了验证技术库。但这些验证方法主要基于信号层级或事务层级来进行,并没有从更高层次的功能点角度去考虑验证问题。功能点的标准化概括、提取和层次分解仍然存在不足,而且测试激励需要人为去进行封装和组织,一定程度加大了验证平台搭建难度。为了弥补验证技术上在功能建模和激励自动生成上的缺陷,从不同角度去探究新的验证方法,课题组开展了相应的研究工作。




    研究工作和技术进步主要包括以下几点:1、基于集成电路功能特点以及对功能规范的分析,针对集成电路功能验证需求,课题组共同创建了基于功能规范的功能模型F-M;针对该功能模型,开发出一套功能模型描述语言,并定义相应语法规则,用以描述数字系统、IP核等模块的功能行为。2、利用语言C/C++编写出解析编译器P-C,对上述功能模型语言进行解析,自动生成激励生成器和断言检测器,构建出SystemVerilog验证平台,自动产生测试激励。


    EM (electron migration,电子迁移)

    “电子迁移”是50年代在微电子科学领域发现的一种从属现象,指因电子的流动所导致的金属原子移动的现象。因为此时流动的“物体”已经包括了金属原子,所以也有人称之为“金属迁移”。在电流密度很高的导体上,数字ic设计,电子的流动会产生不小的动量,这种动量作用在金属原子上时,就可能使一些金属原子脱离金属表面到处流窜,结果就会导致原本光滑的金属导线的表面变得凹凸不平,造成性的损害。这种损害是个逐渐积累的过程,当这种“凹凸不平”多到一定程度的时候,就会造成IC内部导线的断路与短路,而终使得IC报废。温度越高,数字ic设计和嵌入式,电子流动所产生的作用就越大,其彻底破坏IC内一条通路的时间就越少,即IC的寿命也就越短,这也就是高温会缩短IC寿命的本质原因。

    NBTI 、HCI、TDDB

    这三个效应都跟MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, 金属氧化物半导体场效应管) 原理有关。

    罪魁祸首 : SiOHSiOH

    MOSFET原理是一个门较(Gate)靠静电势控制底下的导电沟道深度,电势高形成深沟道电流就大,电势低沟道消失就不导电了。稍微想深一层就知道这个门较导电底下的沟道也导电,那就必须中间有个绝缘介质把他们分开,否则就变成联通线不是晶体管了。再想深一层就知道这个绝缘介质的做法是把硅氧化做二氧化硅。而行外人一般想不到的是光二氧化硅还不够,工程上二氧化硅和基板硅之间附着很差,必须加入Si-H键把二氧化硅层拴住。所以实际上介质层和硅之间有一层不是纯SiO2SiO2是SiOHSiOH,问题由此产生。








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